买卖IC网 >> 产品目录42245 >> PSMN1R6-30BL,118 MOSFET N CH 30V 100A D2PAK datasheet 分离式半导体产品
型号：

PSMN1R6-30BL,118

库存数量：300
制造商：NXP Semiconductors
描述：MOSFET N CH 30V 100A D2PAK
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
PSMN1R6-30BL,118 PDF下载
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 1.9 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 212nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 12493pF @ 15V
功率 - 最大 306W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 剪切带 (CT)
其它名称 568-9481-1
相关资料
属性
链接
代理商 PSMN1R6-30BL,118
PSMN1R6-30PL
PSMN1R6-30PL,127
PSMN1R6-40YLC,115
PSMN1R6-60CLJ
供应商
公司名
电话
北京耐芯威科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市众芯微电子有限公司 0755-83208010 陈小姐
深圳市佳斯泰科技有限公司 13410012158 廖小姐
集好芯城 0755-83289799 陈先生 13360533550
深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
  • PSMN1R6-30BL,118 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 3.372 3.372
    10 3.0408 30.408
    25 2.724 68.1
    100 2.44932 244.932
    250 2.17488 543.72